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À la suite du compte on doit définir les paramètres électrophysiques et géométriques les structures, les paramètres du schéma équivalent T-figuratif du transistor selon le courant alternatif, ses paramètres d'exploitation. La partie des paramètres électrophysiques et géométriques au compte est donnée à partir des considérations de l'ordre de nomenclature. À la fin du compte sort le type du corps du transistor.

Le corps donné a trouvé une large application à l'étranger comme pour de faible puissance et une moyenne capacité (jusqu'à 5 Vt) les transistors, et pour les circuits intégrés. Le manque des corps KT-1 et -2 est la possibilité de la libération de gaz au volume intérieur du corps à l'hermétisation. C'est le manque de tous des corps, mais il est surmonté par l'application de la protection flottable et des structures par les divers vernis, les compounds, la zéolithe.

Le corps KT-2, (TO-5 - étranger,, par la soudure à contacts électriques, est analogue selon la structure au corps KT-1 et a seulement quelques grands montants. Sa structure possède la même sécurité, se distingue par la même simplicité et la facilité de fabrication de la structure, comme le corps Kt - Dans ce corps on peut monter tous les types existant des passages des transistors de faible puissance, ainsi que les transistors de silicium de la moyenne capacité (jusqu'à 5) à la condition de l'utilisation du dissipateur thermique supplémentaire.

Le but du travail sur le projet est l'acquisition des habitudes de la décision des tâches de génie de la création des appareils discontinus demi-conducteurs, l'approfondissement des connaissances des procès et les particularités d'une manière positive technologiques des transistors bipolaires de faible puissance.

Le corps KT-1,, par la soudure à contacts électriques. La collerette de la raison représente la tasse métallique remplie par le verre (l'isolateur), dans laquelle passent les conclusions ayant le liston pour l'hermétisation la soudure à contacts électriques. Le corps a de corps la conclusion, qui est soudée au fond de la collerette. Le ballon du corps représente le cylindre creux avec le fond, qui est mis au diamètre extérieur de la tasse de collerette.

Les fréquences de frontière du coefficient de la transmission du courant f = 90 MHZ, la signification comptée f = 103,73 MHZ. Au fonctionnement du transistor bipolaire sur la fréquence jusqu'à f le coefficient de la transmission du courant dans le schéma avec SUR satisfera à la signification donnée.

La tâche : Définir de barrière ( les capacités et les valeurs de la surface de collecteur et des passages, et les montants aussi géométriques de la plaque demi-conductrice, dans qui on forme la structure.

Il y avoir se trouver au total tous des paramètres géométriques et électrophysiques nécessaires à l'exécution de la partie d'études et principale de la documentation de préparation. Particulièrement cela concerne la composition, et les soudures.

L'élément principal de la structure du transistor est le cristal, ou la structure du cristal, qui représente la plaque demi-conductrice avec formé sur elle () et de collecteur () par les passages. D'autres éléments de la structure sont le corps,, les conclusions.

D'une manière positive le corps comprend deux éléments principaux : de la raison et le ballon. La raison comprend : la collerette, l'isolateur et les conclusions. Le ballon représente la petite tasse avec le liston. Pour les transistors de faible puissance bipolaires plus convenant les corps des types -1 et Kt -

La possibilité de l'habillage ou la structure splavno-de diffusion est montrée, quand le cristal par l'électrode de collecteur est soudé directement sur la collerette de la raison. De plus le cristal peut avoir les montants maximums 3,5 3,5 mm.